Sunt dispozitive semiconductoare care indeplinesc conditiile necesare AMPLIFICARII UNOR SEMNALE. k3i14ik
Dupa tipul de purtatori ce contribuie la functionarea lor ele sunt:
- Bipolare -; purtatori de ambele polaritati -; majoritari (electroni)
- minoritari (goluri)
- Unipolare -; Purtatori de o singura polaritate -; electroni sau goluri.

TRANZISTOARE BIPOLARE

A) Tranzistoare bipolare cu jonctiune.

a) Alcatuirea: - Dintr-un monocristal de germaniu sau siliciu in care se creeaza prin impurificare trei regiuni despartite prin doua suprafete. Regiunile de la extremitati au acelasi tip de conductibilitate (p/n) acestea se numesc Emitor si Colector . Regiune centrala are conductibilitate opusa fata de cele de la extremitati si se numeste Baza. Pe suprafetele fiecarui regiuni se depune cate un strat metalic de contact pe care se sudeaza firele de conexiune. Acest tranzistor are doua jonctiuni.
1) Jonctiunea Emitorului : intre baza si colector
2) Jonctiunea Colectorului: intre baza si emitor

Jonctiunea C este polarizata direct cu o tensiune de ordinul zecimilor de volti iar jonctiunea E este polarizata invers cu o tensiune de ordinul voltilor sau zecilor de volti.

B) Functionarea tranzistoarelor in regim normal activ in conexiunea cu baza comuna.
- Ansamblul format din cele trei jonctiuni reprezinta doua diode semiconductoare conectate in opozitie si cu o regiune comuna. Pentru ca un tranzistor sa nu se manifeste ca doua diode trebuie ca intre ele sa se realizeze u cuplaj, acest cuplaj are rolul de a transfera purtatorii de sarcina de la o regiune la alta. Acest transfer se realizeaza numai daca baza este suficient de subtire. Transferul se numeste EFECT DE TRANZISTOR .
- Fenomenul de polarizare: este similar la ambele tipuri de tranzistoare cu diferenta ca rolul golurilor si al electronilor este inversat.

FUNTIONAREA TRANZISTORULUI P.N.P.

Jonctiunea E-B fiind polarizata direct curentul care circula prin jonctiune este determinat de purtatorii majoritari de sarcina (goluri) apare astfel un CURENT DE DIFUZIE al golurilor din E in B (Ipe). Aceste goluri devin in regiunea B purtatori minoritari in exces, deoarece B este foarte subtire numai un numar mic de goluri injectate de emitor se va recombina cu electronii majoritari din B, inlocuirea electronilor disparuti prin recombinare se face printr-un transport de electroni de la sursa de polarizare prin firul de conexiune al B. Acest transport de electroni formeaza curentul de recombinare.
Golurile provenite din E ramase nerecombinate difuzeaza pana in aproprierea jonctiunii C care este polarizata invers. Campul astfel creat favorizeaza trecerea purtatorilor minoritari.
In functionarea tranzistorului E genereaza goluri pe care C le strange. B are rolul de contro asupra curentului de C.
Pentru a reduce pierderea de goluri in B datorita recombinarilor pe langa o ingustare a latimii B aceasta se dopeaza si cu un numar mic de impuritati decat E si C astfel in B va fi un numar mai mic de electroni din aceasta cauza curentul de electroni majoritari care circula numai prin jonctiunea E are o valoare mult mai mare decat curentul de E. Jonctiunea C polarizata invers este strabatuta atat de golurile provenite din E si ramase nerecombinate in B cat si de curentii de camp dati de purtatorii minoritari generati pe cale termica.

ICB0- este un curent rezidual care reprezinta curentul de C si B cand E este in gol, adica el nu injecteaza purtatori de B
IE- „curentul de emitor”- este format din curentii de difuzie dati de purtatorii majoritari ai E ti B ce strabat jonctiunea E.
IE = Ipe + InB

IB- „curentul de baza” -; este format din curentul de electroni minoritari ce trec prin jonctiunea E, cu curentul de recombinare (IR) ti curentul de camp al jonctiunii C (ICB0)

IB = InB + IR -; ICB0

IC- „Curentul de colector” -; este formata de curentul de goluri injectate din E ramase dupa recombinare ti curentul de camp al jonctiunii C

IC = Ipe +ICB0