1. Chestiuni de studiat

1.1 Determinarea tipului de conductie electrica in monocristale de Si si Ge z7j7jm
1.2 Masurarea rezistivitatii prin metoda celor patru sonde si determinarea pe baza asecteia a concentratiei de impuritati.

Materiale utilizate:

Placheta 1 Si l=234 um
Placheta 2 Ge
Placheta 3 Si l=350 um

Relatii de calcul ale rezistivitatii electrice :

r = unde s=1.6 r = unde l este lungimea de difuzie pentru fiecare placheta

1.3 Determinarea experimentala a variatiei rezistivitatii electrice relative a unui monocristal de Ge cu temperatura 1>3s.
1.4 Determinarea latimii benzii interzise pentru un semiconductor din Ge

Relatia de calcul:

Wi= 1.725* *10-4 aeVi

2. Schema montajului:

Semiconductor

3. Tabele de date si rezultate:

Nr proba Tip semicond Tip conductie U amVi I amAi r aWmi Concentratia de impuritati

1 Si goluri 0.5 10 0.72*10-3 2*1020
3 Si goluri 0.4 10 0.58*10-3 4*1020

? = * *l = * *3.2*10-3 = 0.58*10-3 Om l I 2s = 2*1.6 = 3.2 mm

Nr. crt. Temperatura U I r
K amVi amAi aWmi
1 293 74 1 0.74
2 313 75 1 0.75
3 333 70 1 0.7
4 353 42 1 0.42
5 373 28 1 0.28

? = *2*p*s = *2*3.14*1.6*10-3 = 0.42 Om
Wi= 1.725* *10-4=1.725* *10-4
Wi= 1.725*0.106 = 0.182 eV

4. Observatii :

Conductia in cristalele de siliciu este conductie de “goluri”.
Latimea benzii interzise in cristalul de germaniu scade odata cu cresterea temperaturii.
Se observa ca odata cu cresterea temperaturii tensiunea scade, iar rezistivitatea cristalului de germanium scade; curentul ramane constant.