Referat, comentariu, eseu, proiect, lucrare bacalaureat, liceu si facultate
Top referateAdmitereTesteUtileContact
      
    
 


Ultimele referate adaugate

Adauga referat - poti sa ne ajuti cu un referat?

Politica de confidentialitate




Ultimele referate descarcare de pe site
  CREDITUL IPOTECAR PENTRU INVESTITII IMOBILIARE (economie)
  Comertul cu amanuntul (economie)
  IDENTIFICAREA CRIMINALISTICA (drept)
  Mecanismul motor, Biela, organe mobile proiect (diverse)
  O scrisoare pierduta (romana)
  O scrisoare pierduta (romana)
  Ion DRUTA (romana)
  COMPORTAMENT PROSOCIAL-COMPORTAMENT ANTISOCIAL (psihologie)
  COMPORTAMENT PROSOCIAL-COMPORTAMENT ANTISOCIAL (psihologie)
  Starea civila (geografie)
 

Ultimele referate cautate in site
   domnisoara hus
   legume
    istoria unui galban
   metanol
   recapitulare
   profitul
   caract
   comentariu liric
   radiolocatia
   praslea cel voinic si merele da aur
 
despre:
 
Masurarea unor parametri electrici ai materialelor semiconductoare
Vizite: ? Nota: ? Ce reprezinta? Intrebari si raspunsuri
 

1. Chestiuni de studiat

1.1 Determinarea tipului de conductie electrica in monocristale de Si si Ge z7j7jm
1.2 Masurarea rezistivitatii prin metoda celor patru sonde si determinarea pe baza asecteia a concentratiei de impuritati.

Materiale utilizate:

Placheta 1 Si l=234 um
Placheta 2 Ge
Placheta 3 Si l=350 um

Relatii de calcul ale rezistivitatii electrice :

r = unde s=1.6 r = unde l este lungimea de difuzie pentru fiecare placheta

1.3 Determinarea experimentala a variatiei rezistivitatii electrice relative a unui monocristal de Ge cu temperatura 1>3s.
1.4 Determinarea latimii benzii interzise pentru un semiconductor din Ge

Relatia de calcul:

Wi= 1.725* *10-4 aeVi

2. Schema montajului:

Semiconductor

3. Tabele de date si rezultate:

Nr proba Tip semicond Tip conductie U amVi I amAi r aWmi Concentratia de impuritati
1 Si goluri 0.5 10 0.72*10-3 2*1020
3 Si goluri 0.4 10 0.58*10-3 4*1020

? = * *l = * *3.2*10-3 = 0.58*10-3 Om l I 2s = 2*1.6 = 3.2 mm

Nr. crt. Temperatura U I r
K amVi amAi aWmi
1 293 74 1 0.74
2 313 75 1 0.75
3 333 70 1 0.7
4 353 42 1 0.42
5 373 28 1 0.28

? = *2*p*s = *2*3.14*1.6*10-3 = 0.42 Om
Wi= 1.725* *10-4=1.725* *10-4
Wi= 1.725*0.106 = 0.182 eV

4. Observatii :

Conductia in cristalele de siliciu este conductie de “goluri”.
Latimea benzii interzise in cristalul de germaniu scade odata cu cresterea temperaturii.
Se observa ca odata cu cresterea temperaturii tensiunea scade, iar rezistivitatea cristalului de germanium scade; curentul ramane constant.






Comentarii:

Nu ai gasit ce cautai? Crezi ca ceva ne lipseste? Lasa-ti comentariul si incercam sa te ajutam.
Esti satisfacut de calitarea acestui referat, eseu, cometariu? Apreciem aprecierile voastre.

Nume (obligatoriu):

Email (obligatoriu, nu va fi publicat):

Site URL (optional):


Comentariile tale: (NO HTML)


Noteaza referatul:
In prezent referatul este notat cu: ? (media unui numar de ? de note primite).

2345678910

 
Copyright 2005 - 2019 | Trimite referat | Harta site | Adauga in favorite