Tranzistorul cu Efect de Camp tip Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS, in engleza
MOSFET, Field Effect Tranzistor) este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale
: s9f5fk
1. Sursa => electrodul de unde pleaca sarcinile electrice,
2. Drena => electrodul catre care se indreapta sarcinile electrice,
3. Poarta => electrodul care comanda comportarea dispozitivului.
Figura 1. Tranzistori cu efect de camp
Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid
de siliciu. Cand se aplica o tensiune intre poarta si sursa ("+" pe
poarta si "-;" pe sursa pentru MOSFET cu canal N) se creaza un
camp electric ca intr-un condensator plan. Campul electric creat atrage langa
suprafata electroni.
Figura 2. Structura inerna a tranzistorului cu efect de camp cu poarta izolata
Pana la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de langa suprafata nu sunt suficiente
pentru crearea unui canal conductor intre sursa si drena. Peste valoarea de
prag campul reuseste sa aduca suficiente sarcini electrice langa suprafata si
conductanta (inversul rezistentei electrice) canalului dintre sursa si drena
creste.
Curentul ID care trece intre sursa drena va fi cu atat mai mare cu cat va fi
mai mare tensiunea aplicata portii UGS si cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata
intre drena si sursa UDS (daca UGS >> UDS cu "+" pe drena si
"-;" pe sursa).
ID = (UGS -;VP)× UDS×K unde K este o constanta ce depinde de detaliile constructive ale tranzistorului.
Daca UDS > UGS curentul prin canal nu mai creste din cauza ingustarii canalului
langa drena datorita campului invers ce apare intre poarta si drena. Curentul
are valoarea limita:
ID = (UGS -;VP)2×K/2
Figura 3. Caracteristica curent de drena in functie de tensiunea drena-sursa
si gila-sursa
Tranzistor Caracteristici Pret
BS170 UDSmax = 60V/ IDmax = 0,5A/ Pmax =0,83W/ RDSmin =<5W 0,5DM
IRF830 UDSmax = 500V/ IDmax = 4,5A/ Pmax =74W/ RDSmin =1,5W 3DM
BUK455-60 UDSmax = 60V/ IDmax = 41A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,04W 3DM
IRF740 UDSmax = 400V/ IDmax = 10A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,55W 4DM
BUZ11 UDSmax = 50V/ IDmax = 30A/ Pmax =75W/ RDSmin = 0,05W 2,5DM
APLICATIE ? "Comutator pentru becuri cu halogen"
Becul cu halogen da o lumina foarte buna cu un randament excelent. Ca orice
bec cu filament in momentul conectarii absoarbe un curent de circa 10 ori mai
mare decat curentul nominal, ceea ce determina scurtarea timpului de viata.
Fiindca becurile cu halogen sunt scumpe, mai ales cele speciale pentru automobile,
este util un circuit care sa le mareasca timpul de viata.
Circiutul prezentat aici se bazeaza pe faptul ca daca tensiunea pe poarta creste
treptat si curentul drena-sursa prin tranzistorul cu efect de camp va creste
tot treptat. Timpul de crestere este stabilit de rezistenta R1 si condensatorul
C : t = RC = 100 kW × 10 m F = 1s.
Dioda descarca condensatorul prin bec si TEC la intreruperea alimentarii. Fiinca
rezistenta drena - sursa este 0,05W , caderea de tensiune pe tranzistor va fi
:
UTEC = RDS x Ibec = 0,05W x 4A=0,2V
Puterea disipata va avea valoarea => P=UTEC x Ibec = 0,8W destul de mica
pentru a nu fi necesar radiator pentru tranzistor
